ElektronikaB2B
Portal informacyjno-biznesowy branży elektronicznej

Ultraenergooszczędny transceiver Bluetooth LE o napięciu zasilania od 1,1 V i poborze mocy od 62,5 nW

Ultraenergooszczędny transceiver Bluetooth LE o napięciu zasilania od 1,1 V i poborze mocy od 62,5 nW

ON Semiconductor wprowadza do oferty ultraenergooszczędny transceiver Bluetooth Low Energy o symbolu RSL10, którego zakres dopuszczalnych napięć zasilania (1,1...3,6 V) pozwala na współpracę z bateriami 1,2 V i 1,5 V bez zewnętrznego konwertera DC-DC. Układ został zaprojektowany z myślą o zastosowaniach w aplikacjach IoT oraz miniaturowych akcesoriach fitness i medycznych przenoszonych na ciele użytkownika.

Bazuje na dwurdzeniowym mikroprocesorze ARM Cortex-M3 taktowanym zegarem do 48 MHz. Ponadto, zawiera energooszczędny 32-bitowy układ DSP umożliwiający zastosowania w aplikacjach o intensywnym przetwarzaniu sygnałów, takich jak bezprzewodowe kodeki audio.

RSL10 jest zamykany w miniaturowej obudowie WLCSP-51 (5,50 mm²), a pod koniec kwietnia ma być też dostępny w obudowie QFN-48 o powierzchni 6 x 6 mm. Producent przygotował do niego platformę projektową mającą przyspieszyć wprowadzanie nowych produktów na rynek.

Obejmuje ona płytkę prototypową, zestaw narzędzi programowych, niezbędną dokumentację oraz stosy protokołów i biblioteki oprogramowania firmware.

Pozostałe cechy:

  • wieloprotokołowy SoC z certyfikacją Bluetooth 5,
  • pobór mocy: od 62,5 nW w trybie Deep Sleep,
  • czułość: -94 dBm,
  • moc wyjściowa: -17...+6 dBm,
  • szybkość transmisji: do 2 Mbps,
  • wewnętrzna pamięć Flash: 384 KB,
  • funkcja IP Protection do ochrony zawartości pamięci,
  • interfejsy: GPIO, LSAD, I²C, SPI, PCM.
Więcej na www.onsemi.com

Zobacz podobne produkty